ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻机引入部分 High-NA 机型技术 ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻机引入部分 High-NA 机型技术
IT之家 3 月 27 日消息，据荷兰媒体 Bits&Chips 报道，ASML 官方确认新款 0.33NA EUV 光刻机 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻机的技术，运行效率得以提升。
根据IT之家之前报道，NXE:3800E 光刻机已于本月完成安装，可实现 195 片晶圆的每小时吞吐量，相较以往机型的 160 片提升近 22%。
下一代光刻技术 High-NA（高数值孔径） EUV 采用了更宽的光锥，这意味着其在 EUV 反射镜上的撞击角度更宽，会导致影响晶圆吞吐量的光损失。因此 ASML 提高了光学系统的放大倍率，从而将光线入射角调整回合适大小。
但在掩膜尺寸不变的情况下，增加光学系统放大倍率本身也会因为曝光场的减少影响晶圆吞吐量。因此 ASML 仅在一个方向上将放大倍数从 4 倍提升至 8 倍，这使得曝光场仅用减小一半。
而为了进一步降低曝光时间，提升吞吐量，有必要提升光刻机载物台的运动速率。ASML 工程师就此开发了同时兼容现有 0.33NA 数值孔径系统的新款快速载物台运动系统。
▲ 图源 ASML 官方
对于 NXE:3800E 而言，其光学原件同之前的 3600D 机型相同，仅是配备了更高效的 EUV 光源，所以其吞吐量收益主要来自每次曝光之间的晶圆移动加速。与 3600D 相比，3800E 的载物台移动速度提升至 2 倍，曝光步骤总时长也大约减少了一半。
更快的运行速度也带来了能效的提升，ASML 的发言人表示，NXE:3800E 整体节省了约 20%~25% 的能源。
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