据中国台湾成功大学消息,3月11日,成功大学晶体研究中心正式启用,其于2月26日正式揭牌启用,位于台南科学园区的研究中心。
source:中国台湾成功大学
据悉,成功大学晶体研究中心为目前中国台湾唯一拥有超高温(2300℃以上)大尺寸碳化硅(SiC)晶体生长炉的学术机构,未来将与全球产业伙伴合作,加速技术转移,推动碳化硅及氧化镓(Ga₂O₃)材料于半导体、光学、雷射、医疗等领域的应用,强化中国台湾在全球市场的竞争力。
近年来,成大晶体研究中心成功突破高温碳化硅晶体生长技术难题,成功生产出大尺寸、高纯度碳化硅晶体,成为中国台湾新一代半导体产业的关键材料,可望大幅提升电动车、5G通讯、高效电源管理等应用的性能。同时,该中心也成功生产出氧化镓。氧化镓具有超宽带隙特性,被视为新一代高功率电子元件的关键材料,中心研究团队透过特殊设计的熔融生长技术,成功开发出高品质的氧化镓晶体。未来,该中心将与产业伙伴合作,加速产品商业化。
成大晶体研究中心主任周明基教授表示,该中心成立,获得学界高度重视,以及众多企业的大力支持。其中,大立光集团已投入数千万元,建立先进晶体生长设备,并额外拨款研发氧化镓生长技术,使研究规模扩大三倍。此外,大立光及其子公司应用晶体股份有限公司将加入成大半导体创新与永续制造研究院,进行碳化硅外延生长研究,预计未来三年内将有突破性的技术进展。
除了产学研合作外,成大晶体研究中心也积极拓展国际学术影响力,其已于立陶宛及拉脱维亚设立海外研究中心,与当地团队合作开发高功率薄片雷射(TDL)系统,取得重大技术进展,预期可应用于先进雷射医疗、精密制造与光通讯等领域。
(文/集邦化合物半导体 竹子 整理)