巨头库存告急，美股光学网络携手存储芯片狂飙
当地时间9月8日，劳动节长假后的首个交易日，美股三大指数同步走低。标普500指数跌0.58%报7674.13点，纳斯达克综合指数跌0.31%报26423.69点，道琼斯工业平均指数跌1.18%报52786.07点。医疗股 安进（AMGN.US）当天跌跌幅10.08%，一只股就拖累了道指约260点。
当日，光学网络与存储撑起芯片指数逆市收涨。费城半导体指数当天逆势涨逾1%。 高通（QCOM.US）收涨3.17%报174.09美元，盘中一度冲至183.49美元。同日 英特尔（INTC.US）大涨9.05%报104.47美元，公司计划把PC端CPU价格再上调约10%，这是今年第二次提价，反映英特尔的重心已从用低价换份额转向保住利润率。
储和芯片内部也有分化。希捷涨6.49%至904.38美元， 西部数据（WDC.US）涨2.10%至477.30美元， SK海力士（SKHY.US）ADR涨7.1%， 闪迪（SNDK.US）涨3.6%；但美光跌1.61%至1000.26美元， 英伟达（NVDA.US）跌2.01%至225.73美元。
美股光学网络同步爆发。Lumentum涨11.04%至978.54美元， 康宁（GLW.US）涨7.58%至165.99美元， Coherent（COHR.US）涨7.10%至301.88美元， 应用光电（AAOI.US）涨5.70%至111.55美元。
消息面上，高通9月8日发布公告称，将与 亚马逊（AMZN.US）开展跨多代产品合作，为大规模人工智能数据中心开发定制芯片，并在AI推理领域展开合作。 双方还将开发最高达1.6T及后续世代的光连接方案，支持亚马逊数据中心网络的高带宽互联。
英特尔同日发布公告，披露其代工业务与 阿斯麦（ASML.US）在高数值孔径极紫外光刻（High NA EUV）技术应用方面的进展。英特尔表示，该技术已用于部分酷睿Ultra第三代处理器特定层的量产。公告称，在英特尔18A工艺中，采用High NA技术制造的部分层，其性能达到或超过采用现有NXE平台加工的可比层。双方还将继续推进更大尺寸掩模版相关的标准、基础设施和技术发展。
此外，韩国券商KB证券7日发布的最新报告显示， 按照今年第三季度的市场测算，三星电子和SK海力士可供出货的存储芯片库存已降至不足10天的供货量。这家券商警告说， 明年存储芯片行业可能将出现史上最严重的供给紧缺。
库存下降的背后，是全球科技企业对AI基础设施的大规模持续投入。报告预计， 明年全球头部云服务商的AI相关投资将达到1.3万亿美元，同比增长60%。报告还指出，预计存储芯片在AI基建投资中的占比将从去年的14%升至今年的40%，明年则进一步升至57%。
分析说， 供给端的结构性变化将进一步放大供需矛盾。存储芯片厂商正在倾斜大量产能生产新一代高带宽存储芯片HBM4，这种存储芯片专门用于AI大模型训练。同等存储容量下，生产HBM4所需消耗的晶圆产能，约为传统DRAM的三倍。DRAM主要用作手机、电脑的运行内存，是消费端通用内存的核心芯片。在晶圆总产能有限的背景下， 高端存储芯片HBM4的扩产将挤压普通存储芯片的产能，这会进一步加大后续市场的供给压力。