本报（chinatimes.net.cn）记者卢晓 北京报道

身处全球存储芯片超级周期，国内存储巨头的IPO进程在这个5月格外引人关注。

5月27日，国内DRAM（内存）龙头厂商长鑫科技IPO申请获上交所科创板上市审核委员会审议通过。NAND（闪存）龙头厂商长江存储也于5月19日在湖北证监局完成IPO辅导备案登记，正式开启IPO进程。

海量AI算力需求引发存储供应短缺、价格大幅飙涨，让存储行业站上资本市场最热风口。登陆资本市场，不仅将推动国产芯片板块长期价值重估，也能让国产存储厂商获得充足“弹药”，加速追赶国际行业巨头。

巨头密集上市

5月28日，《华夏时报》记者在上交所官网查询到，长鑫科技已进入提交注册阶段。有证券业内人士向记者分析预计，长鑫科技预计下周启动招股，若无意外，最快6月便可登陆科创板。

同在今年5月，同样成立于2016年、总部位于武汉的长江存储也启动IPO相关工作。5月14日，该公司完成股份制改造，正式更名为“长江存储控股股份有限公司”；5月19日完成IPO辅导备案的同时，长江存储旗下新芯股份撤回了其科创板上市申请。

从股权结构来看，地方国资在这两家存储巨头企业中占据重要地位。长鑫科技目前共有60名机构股东，安徽国资背景股东占比较多，当前持股21.67%的清辉集电为长鑫科技第一大股东，由合肥市国资控制的长鑫集成，在清辉集电中占据近一半份额。而长江存储第一大股东为国资全资持有的湖北长晟发展有限责任公司，持有26.5442%股份。

如何为这两家存储巨头合理估值，将是对A股资本市场的一次压力测试。

公开资料显示，2025年6月长鑫科技上市前最后一轮融资中，阿里云以61亿元认购其3.85%新增注册资本，以此粗略测算，长鑫科技当时估值为1584亿元。但近期市场多预计，其IPO估值有望达到2万亿—3万亿元。而从长江存储过往融资记录来看，2025年4月，养元饮品子公司泉泓投资出资16亿元获得长江存储0.99%股份，可见其当时对应估值约为1616亿元。而国盛证券5月发布的研报指出，市场预测其IPO估值将达到3000亿元左右。当然，这两家企业估值预期的数量级差异，则来源于全球DRAM和NAND市场规模的区别——Omdia公开数据，2025年全球NAND闪存市场规模约为557亿美元，仅为同期DRAM市场规模的37%。

毋庸置疑，这两家存储企业都将成为A股重量级上市公司。截至5月28日收盘，A股共有12家市值突破万亿元的公司，大多集中在白酒、银行、新能源等行业，目前尚无硬科技公司跻身这一行列。

资深投行人士王骥跃认为：“‘两长’是具备千亿级利润规模的世界级企业，两家公司上市，将改变中国资本市场的权重结构。尤其在当前存储产品供不应求的行业环境下，市场大概率会给出乐观估值。”他同时向《华夏时报》记者表示，两家企业上市初期会对市场盘面形成明显影响，“一段时间后日交易量就会稳定下来，这类企业后续换手率会维持在较低水平。”

存储价格猛涨

不止长鑫科技和长江存储，据《华夏时报》记者不完全梳理，今年5月尤其是5月下旬，北京君正、晶合集成、东芯股份等多家存储产业链相关企业，纷纷在资本市场展开动作。

谈及存储产业链企业此时密集推进资本运作的原因，王骥跃在接受本报记者采访时分析，从产业发展阶段来看：“今年不上，明年融资规模更得吓到市场。今年还能按照去年盈利水平定价发行，明年就要参照今年的盈利数据定价。”

风口之下，大象翩翩起舞。在AI驱动的超级周期下，存储巨头一改往年的持续亏损，业绩大幅回暖。

以披露最新业绩的长鑫科技为例，2026年第一季度，该公司实现营收508亿元，同比增长近720%；归母净利润247.6亿元，同比增长1688.3%；经营现金流量净额近426亿元，同比增长21235.1%。

长鑫科技同时预告，今年上半年公司营收预计在1100亿元—1200亿元之间，同比最高增幅达677.31%；归母净利润预计为500亿元—570亿元，同比最高增幅达2544.19%。

而在此前，长鑫科技曾长期处于亏损状态，直至2025年第四季度才一举扭亏。招股书显示，截至2025年底，长鑫科技累计亏损约366.5亿元。

存储价格持续走高，是存储厂商业绩大幅增长的核心推手。

DRAM领域，TrendForce今年5月发布报告称，2026年第一季度，移动端主流内存产品LPDDR4X、LPDDR5X合约价格上涨58%至63%；该机构预计，今年第二季度上述两款产品最低涨幅也将达到70%。

同样根据TrendForce统计，2026年第一季度NAND Flash合约价整体环比涨幅达55%至60%。行业内一个标志性事件是，向来对供应链具备强势话语权的苹果，在今年一季度正式接受了日本铠侠公司翻倍的NAND产品报价。

智参智库特聘专家袁博认为，存储企业今年业绩大幅上涨，本质是存储芯片供不应求背景下，市场需求持续走高和生产成本持续下降的双重叠加效应。他向《华夏时报》记者表示，一方面存储价格从2025年起持续上涨，叠加市场供不应求，部分渠道出现芯片恐慌性囤积现象；另一方面，长鑫科技不断扩充产能、提升生产良品率，高利润高端芯片的销售占比明显提升，大幅摊薄前期巨额投入形成的固定成本，企业利润率随之走高。

夹缝中的路

产品供不应求，是存储价格从去年至今持续上涨的根本原因。

受服务器需求爆发式增长拉动，企业级SSD需求激增。高盛此前发布报告指出，2026年DRAM市场供应缺口将创下过去15年之最，NAND市场也迎来行业史上规模最大的供应短缺之一。

在此背景下，依靠规模效应扩充产能、拉动营收与利润增长，成为各大存储厂商的共同选择。

招股书显示，长鑫科技目前在合肥、北京两地布局3座12英寸DRAM晶圆厂。而其本次计划募资的295亿元中，也有75亿元将用于存储器晶圆制造量产技术升级改造项目。

长鑫科技现有产品主要覆盖DDR4/DDR5、LPDDR4X/LPDDR5/5X全系列。据Omdia数据，2025年Q4，其在全球DRAM市场占据近8%的份额，位列中国市场第一、全球第四。但行业头部格局依旧稳固，三星、SK海力士、美光三家企业合计占据全球九成DRAM市场份额。

公开资料显示，长江存储在武汉已建成两座晶圆厂，合计月产能约20万片。据产业链消息，长江存储武汉三期项目目前已进入设备安装阶段，预计年内投产，该项目计划在2027年实现月产能约5万片的阶段性产能目标。

Counterpoint报告显示，2025年Q4，长江存储在全球NAND闪存市场占据11%的份额，排名位居三星、SK海力士、美光、铠侠、闪迪之后。外界认为，长江存储三期工厂满产后，有望将市占率推至15%以上，冲击全球前三。

值得注意的是，2026年三星、SK海力士、美光等海外存储大厂也纷纷加大资本开支，但新增晶圆产能大多投向高毛利的HBM（高带宽内存）产品。这也是国内存储企业市场份额提升、实现盈利大增的重要原因：大量传统消费电子存储市场空间被“主动”让出。

袁博认为，目前国内存储企业份额增长，主要依托存量市场的国产化替代。他向记者分析：长鑫科技在国内服务器、PC、手机DRAM国产化率突破30%，本质上是凭借本土供应链优势和政策支持，快速填补海外芯片公司部分退出后的国内市场空白，蚕食三大存储巨头在华份额；全球份额提升也部分受益于三大厂主动缩减中低端DRAM产能留下的供应缺口。

当下，AI赛道是全球科技行业的最热风口。传导到存储行业的一个标志是，就在长鑫科技IPO过会当日，上述三家国际存储巨头的市值均突破万亿美元大关。

袁博向《华夏时报》记者表示，长鑫科技、长江存储与国际三大巨头相比，在通用DRAM、NAND产品上的技术差距已大幅缩小，仅在制程工艺上落后2—3年，这部分差距可通过架构设计优化进行弥补。目前国内企业最大的短板集中在HBM领域：HBM对制程工艺要求极高，受EUV光刻机进口限制影响，国内HBM芯片领域的差距至少需要3到5年才能追赶，这一进程高度依赖国产半导体设备的技术突破。