存储芯片巨头美光科技不但交了一份骄人的上财季成绩单，还提供了比华尔街预期更强劲的本财季指引，传出人工智能（AI）需求格外强劲的好消息。

美光截至上月末的第四财季业绩加速增长，超越本已上调的公司指引。AI基础设施建设关键产品——高带宽内存（HBM）继续强劲增长、营收创新高，推动整个数据中心业务全财年创新高。美光还预计，本财季的营收将刷新前一季所创的最高纪录，且增幅碾压分析师预期。

至此，美光已连续七个季度实现盈利。通常DRAM（内存）周期持续六到八个季度。这次财报带来了AI繁荣有望延长周期的好消息。评论认为，指引提供了AI需求在提振美光销售的迹象，证明美光已成为AI领域支出增长的主要受益者，其HBM对开发AI模型的芯片和系统至关重要，让公司能获得丰厚利润。

财报公布后，周二收涨逾1%的美光股价拉升，盘后一度涨超4%，此后涨幅收窄到1%以内。

美东时间9月23日周二美股盘后，美光科技公布截至2025年8月28日的2025财年第四财季（下称四季度）财务数据，并提供2026财年第一财季（一季度）业绩指引。

1）主要财务数据：

营业收入：四季度营收约为113.2亿美元，同比增长46%，分析师预期111.5亿美元，公司指引为111亿至113亿美元，上一财季同比增长36.6%。

EPS：四季度非GAAP口径下调整后的稀释后每股收益（EPS）为3.03美元，同比增长156.8%，分析师预期2.86美元，公司指引为2.78至2.92美元，上一财季同比增长208%。

营业利润：四季度调整后营业利润为39.55亿美元，同比增长126.6%，分析师预期37.23亿美元，上一财季同比增长164.6%。

毛利率：四季度调整后毛利率为45.7%，同比提高9.2个百分点，分析师预期44.1%，公司指引为44%至45%，上一财季为39%。

2）细分业务数据：

DRAM：四季度DRAM（内存）营收90亿美元，环比增长27%，约占总营收的79%，上一财季环比增长15%、占总营收76%。

NAND：四季度NAND（闪存）营收23亿美元，环比增长5%，约占总营收的20%，上一财季环比增长16%、占总营收23%。

3）业绩指引：

营收：一季度营收预计为125亿美元、上下浮动3亿美元，即指引区间为122亿至128亿美元，分析师预期119亿美元。

EPS：一季度调整后的稀释后EPS为3.75美元、上下浮动0.15美元，即指引区间为3.60至3.90美元，分析师预期3.05美元。

毛利率：一季度调整后的毛利率为51.5%、上下浮动1个百分点，即指引区间为50.5%至52.5%。

一个月前，美光因DRAM定价有所改善而，其中营收指引区间的低端上调6.7%、高端上调2.7%，EPS指引区间大幅上调至少约10%，毛利率指引区间至少上调2个百分点。

本周二公布的财报显示，美光四季度营收较前一季加快增长，同比增速从前一季度的不足37%提升到46%，营收接近113.2亿美元，刷新前一季所创的单季最高纪录，而且超过了公司的整个指引区间，分析师预期还接近指引区间的低端。

美光全财年的营收同比增长49%，至创纪录的374亿美元。

美光四季度的EPS保持三位数同比增速，同比增长超一倍至3.03美元，较分析师预期高近6%。四季度EPS和毛利率均高于公司的整个上调后指引区间。

财报显示，四季度美光利润最高的产品之一——用于AI数据处理的HBM营收创单季新高，包括为数据中心客户提供HBM在内，美光专注为超大规模云计算客户服务的云存储业务（CMBU）营收45.43亿美元，同比增长213.5%。

美光CEO Sanjay Mehrotra评论称，美光2025财年取得了创纪录的业绩，其中四季度的表现尤其出色，证明了公司在技术、产品和运营方面的领先地位。2025财年，美光的数据中心业务取得了历史最佳业绩，并以强劲的势头和迄今最具竞争力的产品组合进入2026财年。

一季度营收料增超40% EPS再翻倍增长

业绩指引显示，美光预计，一季度，美光将史上首次单季营收超过120亿美元，继续四季度之后再创营收纪录。而分析师预期还不足120亿美元。美光的整个指引区间都高于分析师预期。

一季度的营收指引区间中值为125亿美元，意味着营收将同比增长43.5%，较分析师预期营收高约5%。

一季度EPS指引中值3.75美元意味着，EPS将同比增长109.5%，较分析师预期高约23%。

市场形势方面，美光预计，到自然年2026年、即明年，DRAM市场供应将继续紧张，NAND市场状况将持续好转。中期来看，美光预计DRAM和NAND的行业需求复合年增长率将达到15%左右。

美光上调了2025自然年、即今年的行业需求增长预期。目前美光预计，今年全球行业DRAM Bit需求增长率将超过15%，略高于公司之前预测。美光还预计，今年全球的行业NAND Bit需求增长率也将高于之前的预测，预计增速在10%至15%。

美光在2025财年共投入138亿美元用于资本支出，同比增长约70%。由于持续加大对1γ DRAM和HBM相关技术的投资，美光预计，2026财年的资本支出将高于2025财年水平。美光预计一季度资本开支大约45亿美元，同比增近44%，高于分析师预期39亿美元。

HBM客户扩大至六家 未来几个月明年HBM将订购一空

公布财报的同时，美光CEO Sanjay Mehrotra透露，美光的HBM客户群已扩大至六家，并预计未来几个月，美光明年的HBM产品就都将订购一空。他说：

“我们已经与几乎所有客户就2026自然年大部分HBM3E产品的价格达成协议。我们正在与客户积极讨论HBM4产品的规格和供货量，预计在未来几个月内，我们将与客户达成协议，实现2026年剩余HBM产品销罄。”

HBM4是目前HBM3标准的进化版，提供更高的带宽、更低的功耗和更大的芯片容量。它具备2048位元接口，每个内存堆叠的传输速率超过2.0 TB/s，性能较前代提升超60%，功耗较美光目前业内领先的HBM3E 12H产品低20%。

美光从6月开始向主要客户发送其36GB HBM4 12H（12层堆叠）内存样品。本次财报称，近期已向客户交付HBM4产品样品。尽管外界对HBM4带宽和引脚速度方面的性能要求不断提高，美光的HBM4 12H产品仍按计划推进，能够满足客户平台扩容的需求。