12月30日，长鑫科技集团股份有限公司（简称“长鑫科技”）科创板IPO申请获受理。公司计划募资295亿元，以满足公司在DRAM行业进一步提升核心竞争力的需要。

上证报中国证券网讯（记者 李兴彩）12月30日，长鑫科技集团股份有限公司（简称“长鑫科技”）科创板IPO申请获受理。公司计划募资295亿元，以满足公司在DRAM行业进一步提升核心竞争力的需要。

根据披露，长鑫科技2025年1-9月营收320.84亿元，2022年至2025年9月累计营收达736.36亿元，其中2022年至2024年主营业务收入复合增长率达72.04%。根据Omdia数据显示，按照产能和出货量统计，长鑫科技已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。

招股书显示，长鑫科技成立于2016年，是中国规模最大、技术最先进、布局最全的动态随机存取存储器（DRAM）研发设计制造一体化企业，采用IDM（垂直整合制造）业务模式。

目前，长鑫科技提供DRAM晶圆、DRAM芯片、DRAM模组等多元化产品方案，产品主要覆盖DDR、LPDDR两大主流系列，目前已完成从DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的产品覆盖和迭代，产品广泛应用于服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等市场领域。

产品方面，长鑫科技于2019年9月首次推出自主设计生产的8Gb DDR4产品，实现了中国大陆DRAM产业“从0到1”的突破。长鑫科技最新发布的LPDDR5X产品最高速率达到10667Mbps ，较上一代LPDDR5提升了66%；而其推出的首款国产DDR5产品，速率高达8000Mbps，单颗最大容量24Gb ，并同步布局全场景的七大模组，产品性能处于国际领先水平。

研发投入方面，2022年至2025年上半年，长鑫科技累计研发投入为188.67亿元，占累计营业收入的33.11%，其中2024年研发投入63.41亿元，同比2023年增长35.77%。

2025年上半年，长鑫科技研发费用率达23.71%，超过同期行业平均值10.37%，也明显高于国际DRAM巨头三星电子、SK海力士、美光同期的研发费用率11.74%、7.39%、10.66%。

高研发下，长鑫科技构建了宽深的专利护城河。招股书显示，截至2025年6月30日，长鑫科技共拥有5589项专利，其中3116项境内专利及2473项境外专利。根据世界知识产权组织统计数据，长鑫科技2023年国际专利申请公开数量排名全球第22位；根据美国权威专利服务机构IFI公布数据，长鑫科技2024年美国专利授权排名全球第42位，在所有上榜的中国企业中排名第四。研发团队方面，长鑫科技拥有4653名研发人员，占公司员工总数的比例超过30%。

长鑫科技目前无控股股东，其第一大股东为合肥清辉集电企业管理合伙企业（有限合伙），直接持有公司21.67%股份。此外，招股书显示，大基金二期、安徽省投、阿里、腾讯、招银国际、人保资本、建信金融、国调基金、君联资本、小米产投等均位列公司股东行列。