据路透社消息，长鑫存储计划于2026年第一季度在上海证券交易所进行IPO，目标估值高达3000亿元人民币。

目前全球DRAM市场主要由日本、韩国及美国企业主导，长鑫存储的崛起正逐步改变这一格局。

据悉，该公司拟通过本次IPO募集200亿至400亿元资金。另有消息称，其融资目标约为300亿元，并可能于今年11月向投资者公布招股说明书。相关人士强调，IPO具体细节可能根据市场情况调整。长鑫存储对此未立即回应。

3000亿估值背后，长鑫成AI HBM芯片唯一破局点？

长鑫存储的上市计划恰逢中国半导体板块表现强劲之际，中证全指半导体产品与设备指数年内涨幅已近49%。今年7月，其母公司已启动IPO辅导程序，并聘请中金公司和中信建投证券担任承销商。

行业观察人士指出，此次IPO预计将获得国内投资者的积极响应，反映出市场对中国实现半导体“自给自足”战略的信心。长鑫存储正持续加大投入，追赶韩国SK海力士、三星等国际巨头，特别是在高带宽存储器领域。HBM作为DRAM的重要分支，对开发AI芯片具有关键作用。同时，近期DRAM价格大幅上涨，也让长鑫存储利润数据会非常亮眼。

去年12月，美国对中国获取HBM芯片实施限制，使得长鑫存储的技术突破更具战略意义。与此同时，全球存储市场格局正经历深刻变革。美光科技近期计划退出中国服务器芯片业务，而全球AI芯片需求激增正推动存储芯片市场供需关系转变。

目标2026量产HBM3，仍落后两年？

根据TechInsights分析，长鑫存储2023-2024年资本支出约60-70亿美元，若不受进一步制裁，2025年预计增长5%。公司正在上海建设HBM后端封装厂，计划2026年底实现量产。消息人士透露，初期月产能规划约3万片晶圆，约为SK海力士产能的五分之一。

长鑫存储计划于2026年量产第四代HBM3芯片。相比之下，SK海力士已于今年9月完成HBM4芯片内部认证，预计2025年底实现量产准备。TechInsights高级分析师Choe Jeongdong表示：“若长鑫存储2026年四季度成功量产，其采用的16纳米工艺仍较SK海力士落后约四年。”

A股长鑫概念股名单曝光，设备、封测谁将率先喝汤？

随着长鑫存储上市计划推进及HBM领域布局深化，本土半导体供应链企业将显著受益。

长鑫存储设定了较高的设备国产化目标，直接利好半导体设备供应商。如精智达，该公司是长鑫存储最大的国产化ATE供应商，且其背后股东与长鑫存储有关联。

其他受益企业包括北方华创、中微公司、拓荆科技、华海清科、芯源微、中科飞测和盛美上海等，它们分别位于半导体制造的薄膜、刻蚀、CMP、涂胶显影、检测量测、清洗等不同环节。

HBM新工艺与材料，HBM3量产进程启动将带动键合设备、超声波设备等新增需求。混合键合技术及相关材料企业值得重点关注。

量产离不开封测环节，深科技等本土封测服务商将伴随半导体国产化进程持续受益。

此次IPO不仅标志着中国DRAM产业发展的新里程碑，也将为整个半导体产业链带来新一轮发展契机。